Chất nền điện tử công suất

Chất nền điện tử công suất

Chất nền điện tử công suất là một loại vật liệu được sử dụng để chế tạo các linh kiện điện tử công suất như mô-đun nguồn, bộ biến tần và bộ chuyển đổi. Chúng thường được làm bằng gốm sứ hoặc vật liệu nhiệt độ cao khác mang lại khả năng dẫn nhiệt cao, bền và cách điện đáng tin cậy. Những chất nền này được thiết kế để cung cấp sự hỗ trợ cần thiết và quản lý nhiệt cho các linh kiện điện tử công suất, cho phép chúng hoạt động hiệu quả và đáng tin cậy.

Chất nền điện tử công suất được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, chẳng hạn như truyền động động cơ, hệ thống năng lượng tái tạo, xe điện và các ứng dụng điện tử công suất khác. Chúng được thiết kế đặc biệt để xử lý các ứng dụng năng lượng cao trong đó việc quản lý nhiệt là rất quan trọng để vận hành hiệu quả. Ví dụ, gốm nhiệt độ cao như nhôm nitrit (AlN) hoặc cacbua silic có thể dẫn nhiệt tốt hơn tới 10 lần so với kim loại như đồng, khiến chúng trở thành vật liệu tuyệt vời cho các ứng dụng nền điện tử công suất.

Ngoài các đặc tính dẫn nhiệt và nhiệt độ cao, chất nền điện tử công suất còn có khả năng cách điện tuyệt vời, điều này rất cần thiết trong điện tử công suất. Vật liệu cách điện ngăn ngừa đoản mạch và bảo vệ khỏi hư hỏng do điện áp cao, đảm bảo các linh kiện điện tử công suất được an toàn và đáng tin cậy.

Nhìn chung, chất nền điện tử công suất là vật liệu thiết yếu để chế tạo các linh kiện điện tử công suất. Đặc tính dẫn nhiệt và nhiệt độ cao của chúng, kết hợp với khả năng cách điện tuyệt vời, khiến chúng trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng điện tử công suất đòi hỏi độ tin cậy cao và quản lý nhiệt hiệu quả.

Chất nền điện tử Torbo® Power

khoản mục:Chất nền điện tử công suất

Chất liệu:Si3N4

Màu xám

Độ dày: 0,25-1mm

Xử lý bề mặt: Đánh bóng đôi

Mật độ khối: 3,24g/㎤

Độ nhám bề mặt Ra: 0,4μm

Cường độ uốn: (phương pháp 3 điểm): 600-1000Mpa

Mô đun đàn hồi: 310Gpa

Độ bền gãy xương (phương pháp IF):6,5 MPa･√m

Độ dẫn nhiệt: 25°C 15-85 W/(m･K)

Hệ số tổn thất điện môi: 0,4

Điện trở suất âm: 25°C >1014 Ω･㎝

Sức mạnh sự cố:DC >15㎸/㎜