Chất nền gốm Silicon Nitride cho thiết bị điện tử

Chất nền gốm Silicon Nitride cho thiết bị điện tử

Chất nền gốm Silicon Nitride cho thiết bị điện tử là một loại vật liệu gốm chuyên dụng được sử dụng trong các ứng dụng công nghiệp khác nhau, nơi cần có độ bền, độ bền và độ ổn định nhiệt cao. Nó được tạo thành từ sự kết hợp của silicon, nitơ và các nguyên tố khác mang lại cho nó các đặc tính cơ, nhiệt và hóa học độc đáo.

Chất nền gốm Si3N4 có độ bền cơ học vượt trội, giúp nó có khả năng chống mài mòn và hư hỏng cao do va đập và nén. Nó cũng có khả năng chống sốc nhiệt cao, có thể chịu được sự thay đổi nhiệt độ nhanh chóng mà không bị nứt hoặc vỡ. Điều này khiến nó trở nên lý tưởng để sử dụng trong các ngành công nghiệp có nhiệt độ cao như hàng không vũ trụ, kỹ thuật ô tô và các lĩnh vực khác cần tản nhiệt.

Ngoài các đặc tính cơ và nhiệt, nền gốm Si3N4 còn có khả năng cách điện tuyệt vời và chống ăn mòn tốt trong môi trường khắc nghiệt. Nó được sử dụng trong các ứng dụng điện tử và bán dẫn như mô-đun điện và thiết bị điện tử nhiệt độ cao do đặc tính cách nhiệt và tản nhiệt vượt trội.

Nhìn chung, chất nền gốm silicon nitride Si3N4 là một vật liệu đặc biệt với nhiều ứng dụng. Độ bền cơ học vượt trội, độ ổn định nhiệt, cách điện và kháng hóa chất khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công nghiệp và điện tử khác nhau, trong đó độ tin cậy và hiệu quả là những yếu tố quan trọng.

Chất nền gốm Torbo® Silicon Nitride cho thiết bị điện tử

khoản mục:Chất nền silicon nitride

Chất liệu:Si3N4

Màu xám

Độ dày: 0,25-1mm

Xử lý bề mặt: Đánh bóng đôi

Mật độ khối: 3,24g/㎤

Độ nhám bề mặt Ra: 0,4μm

Cường độ uốn: (phương pháp 3 điểm): 600-1000Mpa

Mô đun đàn hồi: 310Gpa

Độ bền gãy xương (phương pháp IF):6,5 MPa･√m

Độ dẫn nhiệt: 25°C 15-85 W/(m･K)

Hệ số tổn thất điện môi: 0,4

Điện trở suất âm: 25°C >1014 Ω･㎝

Sức mạnh sự cố:DC >15㎸/㎜